半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置具有形成于一半导体基材上方的一第一绝缘膜，形成于该第一绝缘膜中的一第一开口，沿着该第一开口之内壁形成的一第一氧化锰膜，埋入于该第一开口中的一第一铜布线，及形成于该第一铜布线上之一包括碳的第二氧化锰膜。