设有半导体膜之基底及其制造方法

摘要

具有矩形形状的多个单晶半导体基底被置于盘上。在该盘中设置凹部以使所述单晶半导体基底可装入。用氢离子掺杂置于该盘上的单晶半导体基底，以使受损区域在预期深度形成。接合层在单晶半导体基底的表面上形成。其中形成有受损区域且其上形成有接合层的多个单晶半导体基底被置于该盘上并接合到底部基底。藉由热处理，单晶半导体基底在受损区域上被分离；因此，被减薄的多个单晶半导体层在底部基底上形成。