| 主权项 |
1.一种中央处理器之散热结构改良，系包括：散热本体以及导热层；其中该散热本体暨为散热模组，系贯穿设有多数散热洞孔，及外围加造凸起状立体表面积，以及喷涂导热层；而该导热层系呈一连续状，喷涂附着地框围于该散热本体之全部四周围的表面上及洞孔内外，及凸起状立体表面积上，附着地框围有一连续环状之导热层；藉由该导热层接触一热源(中央处理器)后，将该热源之热能，快速地由散热本体之表面，传递至散热本体内部，并藉由散热本体由多数散热洞孔及凸起立体状，所构成极大的散热表面积，与外界空气接触，而进行散热者。2.如申请专利范围第1项所述中央处理器之散热结构改良，其中该散热本体暨为散热模组即如同”蜂巢式太阳花造型”以及喷涂导热层；此散热模组之取材：可为以能导热之材料，或以铝金属制一体成型，加以喷涂该导热层，取其为散热本体。3.如申请专利范围第1项所述中央处理器之散热结构改良，其中该导热层，系将以石墨、碳、类钻石等单一矿石或多种石材混合成原料，也可将以钛、镍、锰、铜、钨、铜加镍等单一金属或多种金属混合成原料，也可以碳加钨或碳加钛或碳加镍等具高热传导、高散热效率之石材与金属先后相应用，藉由镀膜机器以”镀膜技术“，前后双重应用，使其熔解后，喷涂附于该散热本体即散热模组上。4.如申请专利范围第1项所述中央处理器之散热结构改良，系包括：散热本体以及导热层；其中该散热本体暨为散热模组，系贯穿设有多数散热洞孔，及外围加造凸起状立体表面积，以及喷涂导热层。5.如申请专利范围第1项所述中央处理器之散热结构改良，其中该导热层系呈一连续状，喷涂附着地框围于该散热本体之全部四周围的表面上及洞孔内外，及凸起状立体表面积上，附着地框围有一连续环状之导热层。6.如申请专利范围第1项所述中央处理器之散热结构改良，其中该散热本体暨为散热模组即如同”蜂巢式太阳花造型”以及喷涂导热层。7.如申请专利范围第1项所述中央处理器之散热结构改良，其中该散热本体暨为散热模组之取材：可为以能导热之材料，或以铝金属制一体成型，加以喷涂该导热层，取其为散热本体。8.如申请专利范围第1项所述中央处理器之散热结构改良，其中该散热本体暨为散热模组之取材：可为能导热之材料，加以喷涂该导热层，取其为散热本体。9.如申请专利范围第1项所述中央处理器之散热结构改良，其中该散热本体暨为散热模组之取材：可为以含铝金属取材一体成型，加以喷涂该导热层，取其为散热本体。10.如申请专利范围第1项所述中央处理器之散热结构改良，系包括：散热本体以及导热层；其中该散热本体暨为散热模组，系贯穿设有多数散热洞孔，以及喷涂导热层。11.如申请专利范围第1项所述中央处理器之散热结构改良，系包括：散热本体以及导热层；其中该散热本体暨为散热模组，系外围加造凸起状立体表面积，以及喷涂导热层。 |
