| 摘要 |
本发明提供一种均匀性或生产性高，同时就高频性能而言，杂讯指数小、且附随增益大之场效电晶体(FET)、具备该FET之半导体晶片及半导体装置。本发明之FET1，系在GaAs半导体基板2之上，堆叠i型GaAs缓冲层3及i型lnGaAs二维电子气体层4及n型AlGaAs电子供给层5，在n型AlGaAs电子供给层5之上，堆叠有:n型InGaP蚀刻停止层6，其具以线状肖特基性接触之闸电极12，从闸极12之两侧分离且在n型AlGaAs电子供给层5之上;接着于同程度之横位置堆叠n型GaAs接触层7;n型GaAs接触层7之上，就从接触层7之端分离而成带状欧姆性接触之电极而言，于各侧具源极9及汲极10。 |
