| 摘要 |
为了能提供可在藉由微波电浆高效率、高速成膜的同时阻止氧混入，且使缺陷数降低之光电转换元件制造装置及方法与光电转换元件，本发明的光电转换元件制造装置100，系在基板W上，使半导体叠层膜藉由微波电浆CVD法成膜，包含：腔室10，为密闭空间，内藏载置基板W的基台，基板W为薄膜欲成膜之对象；第1气体供给部40，将电浆激发气体供给到前述腔室10内之电浆激发区域；调压部70，调整前述腔室10内之压力；第2气体供给部50，将原料气体供给到前述腔室10内之电浆扩散区域；微波施加部20，将微波导入前述腔室10内；偏压施加部60，对应前述气体种类选择并施加基板偏压于前述基板W。 |
