发明名称 用于一半导体积体电路之导电结构
摘要 一种用于一半导体积体电路之导电结构,该半导体积体电路包含一衬垫,以及一局部覆盖该衬垫之保护层,以共同界定出一开口区域。该导电结构适可透过该开口区域,与该衬垫呈电性连接。该导电结构包含一下金属层;一第一导体层,形成于该下金属层上,与该下金属层呈电性连结;一第二导体层,形成于该第一导体层上,与该第一导体层呈电性连结;以及一覆盖导体层。此外,该下金属层、第一导体层与第二导体层共同界定一基本凸块结构,该覆盖导体层适以实质上完全覆盖基本凸块结构。
申请公布号 TW200937596 申请公布日期 2009.09.01
申请号 TW097105885 申请日期 2008.02.20
申请人 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司 发明人 苏圣全
分类号 H01L23/48(2006.01);H01L21/60(2006.01) 主分类号 H01L23/48(2006.01)
代理机构 代理人 陈翠华
主权项
地址 百慕达