| 主权项 |
1.一种高电压应力防范电路，包含：一电阻，其接收一外部电压；一曾纳二极体，其阴极与与该电阻电连接；以及一需要受保护之功能电路，其与该曾纳二极体之两端电连接；其中，该电阻、曾纳二极体、功能电路整合于一积体电路之内。2.如申请专利范围第1项所述之高电压应力防范电路，其中该功能电路为电源管理电路。3.如申请专利范围第1项所述之高电压应力防范电路，其中该曾纳二极体之崩溃电压应低于该功能电路的崩溃电压。4.如申请专利范围第1项所述之高电压应力防范电路，其中该电阻之阻值符合以下关系：(Vin-VZBD)/IZBD_max＜Rin＜(Vin-VMIN)/IOP其中VMIN为该功能电路的最低操作电压，IOP为该功能电路的操作电流，VZBD为该曾纳二极体之崩溃电压，IZBD_max为该曾纳二极体之最大崩溃电流。5.如申请专利范围第1项所述之高电压应力防范电路，其中该电阻为主动元件或被动元件或其混合。6.如申请专利范围第1项所述之高电压应力防范电路，其中该电阻为复晶矽导线、NMOS或PMOS电晶体、PNP或NPN双载子电晶体、或以上两者以上之串联或并联。图式简单说明：第1图显示先前技术防范EOS的方法。第2图显示另一种先前技术防范EOS的方法。第3图显示本创作的实施例。第4图对照显示本创作优于先前技术之处。第5A-5E图说明电阻Rin的几种实施方式。 |
