半导体装置之制造方法

摘要

揭示一种制造半导体装置之方法。该方法包含提供一包含一基板的晶圆，其中复数个磊晶层安装于该基板上。图案远离该基板而在该复数个磊晶层上形成。一导电金属之第二基板远离该基板且在该等图案之间在复数个磊晶层上形成。该第二基板、该复数个磊晶层及该基板用一软缓冲材料来至少部分囊封。藉由施加一雷射束通过该基板直至该基板与该复数个磊晶层之间的界面，该基板在该晶圆层次处与该复数个磊晶层分离，且同时该复数个磊晶层为完整的，同时保持该复数个磊晶层之电气性质及机械性质，该雷射束具有良好界定之边缘。