| 摘要 |
一种在不增加去除遮罩之步骤数下，可得到充分之加工精度的磁性元件之制造方法。使用选自由Ti、Ta、W及该等之氧化物或氮化物所构成之群中之任一者，于磁性层（15）之上方形成第1遮罩层（22）。使用Ru或Cr，于第1遮罩层上形成第2遮罩层（23）。于第2遮罩层上形成抗蚀剂图案（RM）。使用抗蚀剂图案，且使用包含氧气之反应气体对第2遮罩层实施反应性离子蚀刻，藉此形成第2遮罩图案（23A）。使用第2遮罩图案，且使用包含卤素气体之反应气体对第1遮罩层实施反应性离子蚀刻，藉此形成第1遮罩图案（22A）。使用第1遮罩图案，且使用包含氧气之反应气体对磁性层实施反应性离子蚀刻，藉此形成磁性图案（15A）。 |
