| 摘要 |
本发明系关于一种具有曝露的{10-10}m-平面及曝露的(000-1)N-极性c-平面之多面体形之氮化镓晶体，其中曝露的(000-1)N-极性c-平面之表面积大于10mm#sP!2#eP!且曝露的{10-10}m-平面之总表面积大于(000-1)N-极性c-平面之表面积的一半。藉由一具有比常用者更高的温度及温度差之氨热法，及利用含具有上区及下区的高压容器之高压来生长氮化镓块状晶体。高压容器之下区的温度系在550℃或以上，高压容器之上区的温度系设定在500℃或以上，且下区与上区之间的温度差系维持在30℃或以上。使用沿c-轴具有最长尺寸及具有曝露的大面积m-平面之氮化镓种晶。 |
