| 发明名称 | 双接触孔蚀刻停止层制程 | ||
| 摘要 | 一种双接触孔蚀刻停止层制程，包括：提供基板，基板上具有第一元件区、第二元件区以及位于第一元件区与第二元件区之间的浅堑渠区；在基板上形成具有第一应力的第一应力诱发薄膜，其中第一应力诱发薄膜未覆盖第二元件区；以及在基板上形成具有第二应力的第二应力诱发薄膜，其中第二应力诱发薄膜未覆盖第一元件区，在浅堑渠区之上形成第一应力诱发薄膜与第二应力诱发薄膜之间的交叠边界，交叠边界的位置紧靠第二元件区以将第一应力于横向引入第二元件区的通道区。 | ||
| 申请公布号 | TW200937522 | 申请公布日期 | 2009.09.01 |
| 申请号 | TW097120209 | 申请日期 | 2008.05.30 |
| 申请人 | 联发科技股份有限公司 | 发明人 | 李东兴;杨明宗;柯庆忠;张添昌;张裕东 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/311(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 许锺迪 | |
| 主权项 | |||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区笃行一路1号 | ||