发明名称 高功率散热基板
摘要
申请公布号 TWM364272 申请公布日期 2009.09.01
申请号 TW098204091 申请日期 2009.03.16
申请人 新利虹科技股份有限公司 LEAD DATA INC. 新竹县湖口乡新竹工业区工业五路23号 发明人 萧志扬;王训勇;林灯贵
分类号 H01L23/36 (2006.01) 主分类号 H01L23/36 (2006.01)
代理机构 代理人 郭晓文 台北市中正区思源街18号A栋2楼
主权项 1.一种高功率散热基板,系包含:一金属散热板;一导热陶瓷薄膜,其系形成于该金属散热板上;以及一图型化金属导电膜,系形成于该导热陶瓷薄膜上,该图型化金属导电膜具有一电性连接区,且该电性连接区系可供电性连接一发热元件。2.如申请专利范围第1项所述之高功率散热基板,其中该金属散热板之材质系为铝或铝合金。3.如申请专利范围第1项所述之高功率散热基板,其中该导热陶瓷薄膜之材质系为氮化铝。4.如申请专利范围第3项所述之高功率散热基板,其中该导热陶瓷薄膜为一单层结构或一多层结构。5.如申请专利范围第3项所述之高功率散热基板,其中该导热陶瓷薄膜之制程为溅镀。6.如申请专利范围第1项所述之高功率散热基板,其中该图型化金属导电膜系利用一真空镀膜或一印刷制程形成于该导热陶瓷薄膜上。7.如申请专利范围第1项所述之高功率散热基板,其另包含有一导电厚膜金属层,该导电厚膜金属层系利用一电镀制程形成于该图型化金属导电膜上,以增厚该金属膜。8.如申请专利范围第7项所述之高功率散热基板,其另包含有一防焊层,该防焊层系利用一印刷制程形成于该导电厚膜金属层上。9.一种高功率散热基板,系包含:一金属散热板;一导热陶瓷薄膜,其系形成于该金属散热板上;以及一图型化金属导电膜,系形成于该导热陶瓷薄膜上。10.如申请专利范围第9项所述之高功率散热基板,其中该金属散热板之材质系为铝或铝合金。11.如申请专利范围第9项所述之高功率散热基板,其中该导热陶瓷薄膜之材质系为氮化铝。12.如申请专利范围第11项所述之高功率散热基板,其中该导热陶瓷薄膜为一单层结构或一多层结构。13.如申请专利范围第11项所述之高功率散热基板,其中该导热陶瓷薄膜之制程为溅镀。14.如申请专利范围第9项所述之高功率散热基板,其中该图型化金属导电膜系利用一真空镀膜或一印刷制程形成于该导热陶瓷薄膜上。15.如申请专利范围第9项所述之高功率散热基板,其另包含有一导电厚膜金属层,该导电厚膜金属层系利用一电镀制程形成于该图型化金属导电膜上,以增厚该金属膜。16.如申请专利范围第15项所述之高功率散热基板,其另包含有一防焊层,该防焊层系利用一印刷制程形成于该导电厚膜金属层上。图式简单说明:图1绘示为习知散热基板的示意图。图2绘示依据本创作之一较佳实施例之一种高功率散热基板的示意图。
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