金属化合物、含有其之化学气相成长用原料及含金属之薄膜之制造方法

摘要

本发明系关于一种下述通式(1)所表示之新颖金属化合物、含有其之化学气相成长用原料及使用该原料之藉由化学气相成长法的含金属之薄膜之制造方法。作为该金属化合物，由于原料价格低廉，挥发性较高，故而于下述通式(1)中，较好的是X为氯原子之化合物，于M为钛原子时，由于挥发温度(蒸气温度)与薄膜沈积温度(反应温度)之差值较大，可取得较广之制程范围，故而较好的是m是1之化合物：#P 097141862P01.bmp(式中，M表示钛、锆或铪，X表示卤素原子；m表示1或2)。