半导体基板之蚀刻沟渠至矽中的方法、半导体基板之形成沟渠隔离之方法及形成复数个二极体之方法

摘要

本发明提供一种蚀刻沟渠至半导体基板之矽中的方法，其包括在半导体基板之矽上形成一遮罩，其中该遮罩包含经形成为穿过该遮罩之沟渠。使用该遮罩进行电浆蚀刻以形成沟渠至该半导体基板之矽中。在一实施例中，该电浆蚀刻包括使用包含SF#sB!6#eB!、含氧化合物及含氮化合物之前驱气体来形成一蚀刻电浆。在一实施例中，该电浆蚀刻包括一包含含硫组分、含氧组分及NF#sB!x#eB!之蚀刻电浆。