形成光阻底层膜用组成物及使用其之光阻图型的形成方法

摘要

本发明之课题系以提供形成乾式蚀刻速度的选择比大，且以ArF准分子电射般之短波长下之k值及折射率n为显示所欲值之光阻底层膜用的组成物为其目的。其解决手段系包含线状聚合物及溶剂，且前述线状聚合物之主链为具有2,4-二羟基苯甲酸为透过酯键及醚键所导入之单位构造的微影用光阻底层膜形成组成物。