记忆装置、位元线预充电电路及位元线预充电方法

摘要

本案系指一种记忆装置，包括：一记忆胞；一箝位电晶体，具有一第一端、一第二端及一控制端，该箝位电晶体耦合于该记忆胞；一反相器，具有一输入端及一输出端，该输入端电性连接于该箝位电晶体的该第二端，该输出端连接于该箝位电晶体的该控制端；一位元线，电性连接于该箝位电晶体的该第二端以及该反向器的该输入端，该位元线上具有一位元线电压；一预充电路径，电性连接于该箝位电晶体的该第一端，其连接节点处具有一检测电压；以及一侦测控制器，电性连接于该箝位电晶体的该第一端以及该预充电路径，该侦测控制器是用以侦测该检测电压，并当该检测电压位于一低位准时开启该预充电路径以提升该位元线电压，且当该检测电压位于一高位准时关闭该预充电路径。