| 摘要 |
本发明系提供一种半导体装置，其特征在于包含：半导体基板，其系具有复数元件区域及划分该元件区域之元件分离区域；及半导体元件，其系在前述半导体基板主面且形成于前述元件区域之至少1个；前述元件分离区域系DTI(Deep Trench Isolation；深沟隔离)构造，其底面露出于前述半导体基板背面。又，本发明系提供一种半导体装置之制造方法，其特征在于包含：一在半导体基板主面形成DTI构造之元件分离区域，及由该元件分离区域所划分之复数元件区域之步骤；一在前述复数元件区域形成至少1个半导体元件之步骤；及一在前述半导体元件形成后，研磨或蚀刻前述半导体基板背面直到前述元件分离区域之底面露出之步骤。 |
