薄膜形成装置及使用其之方法

摘要

一种使用一用于半导体制程之薄膜形成装置在一反应腔室内之一第一喷嘴供应一薄膜形成反应性气体之同时于一目标基板上形成薄膜之方法，其包括执行一清洁制程，以在该反应腔室不容置该目标基板之状态下，移除沈积在该反应腔室及该第一喷嘴内之副产物薄膜。该清洁制程依序包括一蚀刻步骤，其将一用于蚀刻该副产物薄膜之清洁反应性气体供应至该反应腔室中，并活化该清洁反应性气体，藉此蚀刻该副产物薄膜；及一排气步骤，其停止该清洁反应性气体之供应，并自该反应腔室内排放气体。该蚀刻步骤经配置以使用使供应于该反应腔室中之该清洁反应性气体流动至该第一喷嘴中之条件。