发明名称 |
原子层成长装置及薄膜形成方法 |
摘要 |
在成膜容器内,系被配设有:使用氧化气体而产生电浆之天线阵列、和被载置有基板之基板平台。天线阵列,系将以介电质而被覆了棒状之天线本体后的复数之天线元件作平行配设所构成。又,天线阵列,系被配设在相较于在基板平台上之基板所被载置的位置而更偏向从被形成于成膜容器之侧壁处的供给孔而朝向基板平台所被供给之氧化气体的气流方向上之上流侧的空间处。 |
申请公布号 |
TW200936804 |
申请公布日期 |
2009.09.01 |
申请号 |
TW098103113 |
申请日期 |
2009.01.23 |
申请人 |
三井造船股份有限公司 MITSUI ENGINEERING & |
发明人 |
村田和俊;鹫尾圭亮 |
分类号 |
C23C16/54(2006.01);C23C16/44(2006.01);H01L21/205(2006.01) |
主分类号 |
C23C16/54(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
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地址 |
日本 |