半导体装置及半导体装置之制造方法

摘要

以使六方晶SiC之基板之主表面朝向与正交于(0001)面之面所成之最小角度为1°以下之方向、例如与垂直于(0001)方向之[0001]方向所成之最小角度为1°以下之方向之方式而进行准备。于以上述方式准备之基板之一方主表面上，形成卧式半导体装置。藉此，可较之六方晶SiC之基板之主表面朝向沿着(0001)方向之方向的卧式半导体装置，大大改善耐电压之值。