| 摘要 |
本发明之功率放大器包含具有180nm或更少之闸极长度的MOS电晶体1，及连接至MOS电晶体1之汲极端子的输出匹配电路5。此外，使用电压Vd_n施加于MOS电晶体1，该Vd_n系由直流状态内容许之电压值加以正规化，以作为汲极-源极电压，其中该Vd_n位于0.5至0.9之范围内。ZL(=RL＋j．XL)代表当自汲极端子检视输出匹配电路5时等于负载阻抗之数值，且ZL之实部(RL)为RL＞0.64×Vd_n＋0.19(Ω．mm)，及RL＜0.64×Vd_n＋1.73(Ω．mm)，其中该负载阻抗系由MOS电晶体1之闸极宽度W(mm)加以正规化。 |
