| 摘要 |
一种真空涂层设备包括一反应气体入口(12)和至少一PVD涂层源(8，12)，各涂层源具有平坦的阴极(11)和基板载体(6)，基板载体(6)包含多个基板(7)，其中载置多个基板之基板载体(6)是以二维的水平形式来形成且定位在至少二个PVD涂层源之间，该多个基板(7)是作为切削工具，其具有至少一切削边缘(E)，该切削边缘配置在平坦基板(7)之周围的边缘区域中，各基板分布在基板载体(6)之二维的平面中，其中基板载体(6)在真空处理室(1)的水平面(3)中配置在至少二个PVD涂层(8，21)之平坦阴极(11)之间且与阴极相隔开，使至少一切削边缘(E)之至少一部份都包括一活性的切削边缘(E')且此切削边缘(E')相对于PVD-涂层源(8，21)之至少一阴极(11)而言在每一时间都曝露出来而可被看见。 |
