半导体奈米线之控制掺杂

摘要

基板上之触媒粒子暴露于反应器中包含半导体材质之反应物。具有固定横向尺寸之本徵半导体奈米线于足够低温下生成，使得于本徵半导体奈米线侧壁上反应物之热解受到抑制。一旦本徵半导体奈米线生成至所需长度，提高反应器之温度致使半导体奈米线侧壁进行热解，其后将掺杂物供与反应器中之反应物。形成具有本身内部半导体奈米线及一掺杂之半导体壳之复合半导体奈米线。移除触媒粒子，接着以退火将掺杂物均匀分配于复合半导体奈米线体积内，形成具有固定横向尺寸及实质均匀掺杂之半导体奈米线。