发明名称 |
用于微电子装置之互连结构、其制造方法及含有其之微电子结构 |
摘要 |
一种用于微电子装置之一互连结构包括与一金属化层相邻之一电气传导材料。该电气传导材料具有一基底与一本体。该基底较该本体宽。该基底与该本体形成不具有内部界面之一单一单石结构。该互连结构可藉由下列方式来制造:提供施加该金属化层之一基体、形成与该金属化层相邻之一牺牲层以及与该牺牲层相邻之一抗蚀层、将该抗蚀层型样化来形成一开口(因而移除该牺牲层之一部分)、将该电气传导材料放置于该开口内、以及移除该抗蚀层、该牺牲层、与该金属化层之一部分。 |
申请公布号 |
TW200937578 |
申请公布日期 |
2009.09.01 |
申请号 |
TW097145326 |
申请日期 |
2008.11.24 |
申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
古德那 麦克D;李 凯文J |
分类号 |
H01L21/768(2006.01);H01L23/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01) |
代理机构 |
|
代理人 |
恽轶群;陈文郎 |
主权项 |
|
地址 |
美国 |