形成取代金属闸极之氮化物应力层之方法以及藉此形成之结构

摘要

形成微电子装置之方法以及关联结构。这些方法可包含从金属闸极结构移除剩余介电材料，以及然后于金属闸极结构之顶表面上及侧壁区域上形成应力释放层。将应力导入至设置在金属闸极结构下方之通道区域内。