放射敏感性、湿式显影底部抗反射涂覆组成物及其在半导体制造上之应用

摘要

本发明系有关于一种新颖的放射敏感性、湿式显影底部抗反射涂覆（DBARC）组成物及其在半导体元件制造上之应用。该DBARC组成物含有光酸产生剂，其在曝光于活化放射时产生光酸。在一个光微影成像制程中，相当强的光酸可降低或消除浮渣。此外，该光酸之相当大尺寸会限制其通过DBARC的扩散，因此降低或避免底切。本发明方法亦可藉由控制曝光后烘烤步骤的温度来限制光酸扩散。DBARC组成物与光阻剂在光微影技术中的使用可达到具有实质垂直剖面和无浮渣和无底切之高解析特征，其在微电子和半导体组件变得逐渐小型化时即为关键性。