发明名称 |
Integrierte Schaltung mit einem Leistungs-MOS-Transistor |
摘要 |
<p>Eine integrierte Schaltung enthält einen ersten Transistor mit einem ersten Gate und einem ersten Source-Anschluss und einen zweiten Transistor mit einem zweiten Gate und einem zweiten Source-Anschluss. Die integrierte Schaltung enthält einen ersten Sourcekontakt neben dem zweiten Transistor und ist mit dem ersten Source-Anschluss und mit dem zweiten Source-Anschluss gekoppelt. Die integrierte Schaltung enthält eine mit dem ersten Sourcekontakt gekoppelte erste Bondleitung.</p> |
申请公布号 |
DE102008044411(A1) |
申请公布日期 |
2009.08.27 |
申请号 |
DE20081044411 |
申请日期 |
2008.12.05 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
DIBRA, DONALD;KADOW, CHRISTOPH |
分类号 |
H01L27/088;H01L23/62 |
主分类号 |
H01L27/088 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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