发明名称 Integrierte Schaltung mit einem Leistungs-MOS-Transistor
摘要 <p>Eine integrierte Schaltung enthält einen ersten Transistor mit einem ersten Gate und einem ersten Source-Anschluss und einen zweiten Transistor mit einem zweiten Gate und einem zweiten Source-Anschluss. Die integrierte Schaltung enthält einen ersten Sourcekontakt neben dem zweiten Transistor und ist mit dem ersten Source-Anschluss und mit dem zweiten Source-Anschluss gekoppelt. Die integrierte Schaltung enthält eine mit dem ersten Sourcekontakt gekoppelte erste Bondleitung.</p>
申请公布号 DE102008044411(A1) 申请公布日期 2009.08.27
申请号 DE20081044411 申请日期 2008.12.05
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 DIBRA, DONALD;KADOW, CHRISTOPH
分类号 H01L27/088;H01L23/62 主分类号 H01L27/088
代理机构 代理人
主权项
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