发明名称 УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ КАРБИДА КРЕМНИЯ НА КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ
摘要 1. Устройство для получения эпитаксиальных слоев карбида кремния на кремниевой подложке, имеющее водоохлаждаемый корпус, внутри которого коаксиально ему установлена реакционная камера со стенками, имеющими форму цилиндрической трубы, которая выполнена из кристаллического жаропрочного материала, в реакционной камере установлен графитовый держатель образца, в верхней части реакционной камеры имеется патрубок подвода реакционной газовой смеси, в нижней - патрубок для ее отвода, устройство снабжено средством для нагрева, отличающееся тем, что средство для нагрева представляет собой резистивный нагреватель, выполненный в виде графитовой трубы, охватывающей стенки реакционной камеры в зоне расположения держателя образца, токоподводы резистивного нагревателя предназначены для подключения к источнику постоянного тока, а полость между стенками водоохлаждаемого корпуса и стенками реакционной камеры заполнена пористым графитом. ! 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что стенки реакционной камеры выполнены из сапфира. ! 3. Устройство по п.1 или 2, отличающееся тем, что выполнено с обеспечением возможности использования СО и/или СО2.
申请公布号 RU86351(U1) 申请公布日期 2009.08.27
申请号 RU20080149154U 申请日期 2008.12.05
申请人 发明人
分类号 H01L21/02 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
地址