| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung eines Galliumnitridsubstrats für Halbleiter und damit hergestelltes Substrats |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE602004022002(D1) |
申请公布日期 |
2009.08.27 |
| 申请号 |
DE20046022002T |
申请日期 |
2004.10.01 |
| 申请人 |
SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD. |
发明人 |
MATSUMOTO, NAOKI |
| 分类号 |
H01L21/205;H01L21/3065;C30B29/40;C30B33/00;H01L21/20;H01L21/304;H01L21/306 |
主分类号 |
H01L21/205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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