| 发明名称 | 发射辐射装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种发射辐射的装置(1)，其包含发射初级辐射(4)的发射辐射功能层(2)和通式为Ca<sub>3+x-y</sub>Eu<sub>x</sub>Me<sub>y</sub>SiO<sub>4</sub>Cl<sub>2</sub>的辐射转换材料，其中“Me”是来自Ba、Sr、Mg或这些金属任意组合的组的金属，所述转换材料设置在所述发射辐射功能层的光程中并且至少部分将初级辐射转换成波长更长的辐射。 | ||
| 申请公布号 | CN101517035A | 申请公布日期 | 2009.08.26 |
| 申请号 | CN200780036009.6 | 申请日期 | 2007.08.22 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | 乌特·利波尔德;曼弗雷德·科布施 |
| 分类号 | C09K11/77(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | C09K11/77(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 吴亦华;蔡胜有 |
| 主权项 | 1.一种发射辐射装置(1)，其包含发射初级辐射(4)的发射辐射功能层(2)和辐射转换材料(3)，所述辐射转换材料设置在所述发射辐射功能层的光程中并且含有通式为Ca3-x-yEuxMeySiO4Cl2的辐射转换荧光材料(31)，其中荧光材料将初级辐射的至少一部分转化成次级辐射(5)。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||