发明名称 双位非易失快闪存储单元及其操作方法
摘要 本发明公开了一种双位非易失快闪存储单元及其操作方法,每一双位存储单元包含一第一位及一第二位。施加一参考电压至一第一位线及一第二位线,该第一位线是与每一双位存储单元的该第一位相关,该第二位线是与每一双位存储单元的该第二位相关。接着施加一控制启动电压于该第一位选择线及该第二位选择线,而每一位线分别与每一存储单元的该第一位及该第二位相关。施加每一位线操作电压于与每一双位存储单元相关的多个字线,其中该操作电压是介于14伏特至20伏特之间。
申请公布号 CN101515475A 申请公布日期 2009.08.26
申请号 CN200810165637.0 申请日期 2008.09.19
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 吴昭谊
分类号 G11C16/14(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I 主分类号 G11C16/14(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 周国城
主权项 1、一种操作一存储装置的方法,其特征在于,该方法包括:擦除多个存储单元,每一存储单元包含一第一位及一第二位,并通过:施加一参考电压至一第一位线及一第二位线,该第一位线是与每一存储单元的该第一位相关,及该第二位线是与每一存储单元的该第二位相关;施加一控制启动电压于一第一位选择线及一第二位选择线,而该第一位选择线是与每一存储单元的该第一位相关,以及该第二位选择线是与每一存储单元的该第二位相关;以及施加一操作电压于与每一存储单元相关的多个字线,其中该操作电压是介于14伏特至20伏特之间。
地址 台湾省新竹科学工业园区力行路16号