| 发明名称 | 用自对准工艺制造的相变存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用自对准工艺制造的相变存储器，该存储器，包括成行成列形成阵列的晶体管，跨过所述阵列成列的位线，接触所述位线并与所述位线自对准的相变元件，该存储器包括接触相变元件的底电极，每个底电极与所述位线自对准并耦合到晶体管的源—漏极路径的一侧。 | ||
| 申请公布号 | CN100533756C | 申请公布日期 | 2009.08.26 |
| 申请号 | CN200710100697.X | 申请日期 | 2007.03.02 |
| 申请人 | 奇梦达股份公司 | 发明人 | U·G·冯施维林;T·哈普 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余 刚;李丙林 |
| 主权项 | 1、一种存储器，包含：成行成列形成阵列的晶体管；跨过所述阵列成列的位线；接触所述位线并与所述位线自对准的相变元件；以及接触所述相变元件的底电极，每个底电极都与位线自对准并耦合到晶体管的源—漏极路径的一侧。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||