半导体存储器件以及其数据读出方法

摘要

本发明的半导体存储器件，其特征在于，具备：存储单元阵列，至少沿着列方向配置多个保持由第1数据以及第2数据构成的数据的存储单元；多个字线，沿着所述存储单元阵列的行方向配置，且连接在所述存储单元上；第1位线，沿着所述存储单元阵列的列方向配置，连接在所述存储单元上，在读出所述数据时，从所述存储单元读出所述第1数据；第2位线，沿着所述存储单元阵列的列方向配置，连接在所述存储单元上；位线预充电部，当从所述存储单元读出所述数据，并且检测到所述第1以及第2位线中，一方的位线的电位，从第1电位变化为低于该第1电位的第2电位时，使另一方的位线的电位从所述第2电位变化为所述第1电位；以及，位线选择部。

主权项

1. 一种半导体存储器件，其特征在于，具备：存储单元阵列，至少沿着列方向配置多个保持由第1数据以及第2数据构成的数据的存储单元；多个字线，沿着所述存储单元阵列的行方向配置，且连接在所述存储单元上；第1位线，沿着所述存储单元阵列的列方向配置，连接在所述存储单元上，在读出所述数据时，从所述存储单元读出所述第1数据；第2位线，沿着所述存储单元阵列的列方向配置，连接在所述存储单元上，在读出所述数据时，从所述存储单元读出所述第2数据；位线预充电部，当从所述存储单元读出所述数据，并且检测到所述第1以及第2位线中，一方的位线的电位，从第1电位变化为低于该第1电位的第2电位时，使另一方的位线的电位从所述第2电位变化为所述第1电位；以及位线选择部，在读出所述数据时，在所述第1以及第2位线中，选择的所述一方的位线的电位从所述第1电位变化为所述第2电位的情况下，在下一次读出所述数据时，选择所述另一方的位线，而在选择的所述一方的位线的电位维持所述第1电位的情况下，在下一次读出所述数据时，也维持选择所述一方的位线的状态。