发明名称 | 偏振状态检查方法和检查衬底、半导体器件的制造方法 | ||
摘要 | 偏振状态检查方法包括:在具有平坦的表面和反射率随偏振方向而变化的格子图案的检查晶片上形成检查感光层;照明光使上述检查感光层曝光;测量上述检查感光层的感光变化;根据上述感光变化检查上述照明光的偏振状态。检查衬底包括:用照明光进行照射设置有间距小于等于上述照明光的波长的2倍的格子图案的检查晶片;配置在上述检查晶片上的检查感光层。半导体器件的制造方法除了上述内容还包括:根据上述偏振状态修正上述照明光的照明光学系统;在产品晶片上涂敷产品抗蚀剂膜;用上述照明光学系统把设置在产品掩模上的电路图形的像投影到上述产品抗蚀剂膜上;显影上述产品抗蚀剂膜,在上述产品晶片上形成与上述电路图形对应的产品抗蚀剂图形。 | ||
申请公布号 | CN100533096C | 申请公布日期 | 2009.08.26 |
申请号 | CN200610084026.4 | 申请日期 | 2006.03.28 |
申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 福原和也 |
分类号 | G01M11/02(2006.01)I | 主分类号 | G01M11/02(2006.01)I |
代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 李 峥;杨晓光 |
主权项 | 1. 一种偏振状态检查方法,包括:在检查晶片上形成检查感光层,上述检查晶片具有平坦的表面,并具有反射率随偏振方向而变化的格子图案;用照明光使上述检查感光层曝光;测量上述检查感光层的感光变化;和根据上述感光变化检查上述照明光的偏振状态。 | ||
地址 | 日本东京都 |