| 发明名称 | 电子装置 | ||
| 摘要 | 电子装置包括在半导体材料的衬底的第一侧上的至少一个薄膜电容器和至少一个电感器的网络。所述衬底具有足够高以限制所述电感器的电损耗的电阻率，并且在其第一侧上设有电绝缘表面层。第一和第二横向pin二极管被限定在衬底中，每个pin二极管具有掺杂p区、掺杂n区和中间本征区。第一pin二极管的本征区大于第二pin二极管的本征区。 | ||
| 申请公布号 | CN100533967C | 申请公布日期 | 2009.08.26 |
| 申请号 | CN200580014191.6 | 申请日期 | 2005.05.03 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | A·登德克;J·F·迪克惠斯;N·J·普尔斯福德;J·T·M·范比克;F·罗泽布姆;A·L·A·M·克梅伦;J·H·克罗特维克;M·D·-J·诺伦 |
| 分类号 | H03H3/00(2006.01)I;H03H7/01(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L27/08(2006.01)I;H01P1/15(2006.01)I | 主分类号 | H03H3/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈 源;张天舒 |
| 主权项 | 1. 一种电子装置，包括在半导体材料的衬底的第一侧上的至少一个薄膜电容器和至少一个电感器的网络，所述衬底的至少特定区域具有大于100Ω·cm的电阻率以限制所述电感器的电损耗，并且在所述衬底的第一侧上设有电绝缘表面层；其中，第一和第二横向pin二极管被限定在衬底中，每个pin二极管具有掺杂p区、掺杂n区和中间本征区，且在所述pin二极管中，第一pin二极管的本征区大于第二pin二极管的本征区。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||