| 发明名称 | 低老化率石英晶体谐振器 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及晶体谐振器技术领域，特别涉及低老化率石英晶体谐振器，它包括基座、晶片，晶片固定于基座上，晶片的表面具有经刻蚀的镀膜层；由于晶片的表面具有经刻蚀的镀膜层，镀膜层的致密性比较好，所以能够有效降低产品的年老化率，适用于精度要求高、工差要求严的产品上。 | ||
| 申请公布号 | CN201298831Y | 申请公布日期 | 2009.08.26 |
| 申请号 | CN200820204452.1 | 申请日期 | 2008.12.02 |
| 申请人 | 东莞惠伦顿堡电子有限公司 | 发明人 | 赵积清;刘国强;金奇;邢越 |
| 分类号 | H03H9/19(2006.01)I;H03H9/02(2006.01)I | 主分类号 | H03H9/19(2006.01)I |
| 代理机构 | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 梁永宏 |
| 主权项 | 1、低老化率石英晶体谐振器，它包括基座(20)、晶片(40)，晶片(40)固定于基座(20)上，其特征在于：晶片(40)的表面具有经刻蚀的镀膜层。 | ||
| 地址 | 523758广东省东莞市黄江镇鸡啼岗金钱岭第二工业区东莞惠伦顿堡电子有限公司 | ||