发明名称 具有较低偏移电压的运算放大器
摘要 本发明涉及一种运算放大器,其包括:差动对部分;负载部分,其用作差动对部分的有源负载;和开关部分,其用来对到差动对部分的差动输入信号的提供进行切换并对差动对部分的输出到负载部分的连接进行切换。开关部分用来消除运算放大器的偏移电压。
申请公布号 CN100533962C 申请公布日期 2009.08.26
申请号 CN200610081798.2 申请日期 2006.05.16
申请人 恩益禧电子股份有限公司 发明人 西村浩一
分类号 H03F3/45(2006.01)I;G09G3/36(2006.01)I;G09G3/20(2006.01)I;G02F1/133(2006.01)I 主分类号 H03F3/45(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 梁晓广;陆锦华
主权项 1. 一种运算放大器,其包括:差动对部分;负载部分,其用作所述差动对部分的有源负载;和开关部分,其连接在所述差动对部分和所述负载部分之间,用来对到所述差动对部分的差动输入信号的提供进行切换,并对所述差动对部分的输出到所述负载部分的连接进行切换,其中所述开关部分用来消除所述运算放大器的偏移电压,所述负载部分包括:连接到较高电源电压的第一对P沟道MOS晶体管;第二对P沟道MOS晶体管;第一负载开关部分,其用来切换在所述第一对P沟道MOS晶体管和所述第二对P沟道MOS晶体管之间的连接;连接到较低电源电压的第一对N沟道MOS晶体管;第二对N沟道MOS晶体管;第二负载开关部分,其用来切换在所述第一对N沟道MOS晶体管和所述第二对N沟道MOS晶体管之间的连接;浮动恒定电流源,其设置在所述第二对P沟道MOS晶体管中的一个和所述第二对N沟道MOS晶体管中的一个之间,以提供恒定电流;和输出缓冲放大器,其连接在所述第二对P沟道MOS晶体管的另一个与所述第二对N沟道MOS晶体管的另一个之间,其中,所述第二对P沟道MOS晶体管中的一个的漏极连接到所述第一对P沟道MOS晶体管连接在一起的栅极以形成折叠叠接式连接,而所述第二对P沟道MOS晶体管的栅极共同连接到第一恒定电压,以及所述第二对N沟道MOS晶体管中的一个的漏极连接到所述第一对N沟道MOS晶体管连接在一起的栅极以形成折叠叠接式连接,而所述第二对N沟道MOS晶体管的栅极共同连接到第二恒定电压。
地址 日本神奈川