半导体元件及其制造方法

摘要

提供了一种用于制造半导体元件的方法和利用该方法制造的半导体元件，该方法包括：第一步骤，在具有作为其至少一部分表面的氮化物半导体层的衬底上，形成至少包括一个凹陷部分的刻槽区域和作为非刻槽区域的脊部分，由此生成已处理衬底；以及第二步骤，布设一氮化物半导体分层结构部分，该部分至少包括在刻槽区域中和脊部分表面上的一种类型的氮化物半导体薄膜。在第二步骤中，使设置在接近刻槽区域的脊部分的区域上的氮化物半导体分层结构的厚度大于设置在半导体元件生成区上的氮化物半导体分层结构部分的厚度，由此在接近刻槽区域的脊部分的区域上形成第一伪脊部分。

主权项

1. 一种用于制作半导体元件的方法，包括：第一步骤，在具有作为衬底的至少一部分表面的氮化物半导体层的衬底上，形成至少包括一个凹陷部分的刻槽区域和作为非刻槽区域的脊部分，由此生成已处理衬底；以及第二步骤，沉积氮化物半导体分层结构部分，该部分包括在所述刻槽区域中和在所述脊部分表面上的至少一种类型的氮化物半导体薄膜，其中，在所述第二步骤中，使设置在接近所述刻槽区域的脊部分的区域上的氮化物半导体分层结构的、从所述脊部分的表面到所述氮化物半导体分层结构的表面测量的厚度大于设置在半导体元件生成区上的氮化物半导体分层结构部分的、从所述脊部分的表面到所述氮化物半导体分层结构部分的表面测量的厚度，由此在接近刻槽区域的脊部分的区域上形成第一伪脊部分，所述第一伪脊部分从所述脊部分上的氮化物半导体分层结构部分的表面凸起，其中所述半导体元件生成区为所述脊部分的、接近所述刻槽区域的区域之外的区域，其中，在所述第二步骤中，在形成所述氮化物半导体分层结构部分时，所述刻槽区域的凹陷部分未被完全填充。