| 发明名称 | 用于确定辐射强度的方法、装置和系统 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于确定辐射强度的方法、装置和系统。在第一方面中，提供了确定辐射强度的第一方法。该第一方法包括以下步骤：(1)提供具有(a)硅台；以及(b)沿该硅台的至少三个侧壁的光栅导体材料的半导体器件；(2)在该硅台中形成耗尽区；以及(3)响应于入射半导体器件的辐射，在该半导体器件中产生信号，该信号具有与该辐射强度相关的强度。提供了大量其它方面。 | ||
| 申请公布号 | CN100533781C | 申请公布日期 | 2009.08.26 |
| 申请号 | CN200710102114.7 | 申请日期 | 2007.04.26 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 杰克·A.·曼德尔曼;瓦格迪·W.·阿巴迪尔 |
| 分类号 | H01L31/10(2006.01)I;H01L27/144(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 申发振 |
| 主权项 | 1. 一种确定辐射强度的方法，包括：提供半导体器件，其具有硅台以及沿该硅台的至少三个侧壁的光栅导体材料；在该硅台中形成耗尽区；以及响应于入射该半导体器件的辐射，在该半导体器件中产生信号，该信号具有与该辐射强度相关的强度。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||