半导体集成电路装置用抛光剂、抛光方法、以及制造半导体集成电路装置的方法

摘要

本发明公开了一种半导体用抛光剂，当该抛光剂在制造半导体集成电路装置过程中用于抛光二氧化硅类材料层的表面时，其显示出优异的分散稳定性。该抛光剂具有用于抛光的优异的平坦化特性。本发明具体公开了一种化学机械抛光用抛光剂，该抛光剂在制造半导体集成电路装置过程中用于抛光作为待抛光目标表面的二氧化硅类材料层的表面。该化学机械抛光用抛光剂包含二氧化铈粒子、水溶性聚醚胺、选自聚丙烯酸和其盐的至少一种物质、以及水。该抛光剂的pH值在6～9的范围内，并且相对于抛光剂的总质量，上述物质的含量为大于0.02质量％。

主权项

1.一种抛光剂，其为在半导体集成电路装置的制造中用于对待抛光面进行抛光的化学机械抛光用抛光剂，所述抛光剂包含：二氧化铈粒子、水溶性聚醚胺、选自聚丙烯酸和其盐的至少一种物质、以及水，其中所述抛光剂的pH值为6～9，以及其中相对于所述抛光剂的总质量，所述物质的含量为大于0.02质量％。