半导体装置

摘要

本发明提供一种提高集电极-发射极电流特性、缩短下降时间、特别是提高寄生半导体开关元件闭锁耐受性的半导体装置。本发明是由多个单元半导体元件组成的横向型半导体装置，各单元半导体元件由IGBT组成，包含：第1导电型的半导体衬底；设置在该半导体衬底内的第2导电型的半导体区；设置在该半导体区内的第1导电型的集电极层；在该半导体区中、与该集电极层隔开、设置得包围该集电极层的环形第1导电型基极层；设置在该基极层中，呈环形配置的第2导电型的第1发射极层，该第1发射极层和该集电极层之间的载流子移动用形成于该基极层内的沟道区进行控制，各个单元半导体元件设置得彼此相邻。

主权项

1.一种横向半导体装置，包含：第1导电型的半导体衬底；在该半导体衬底上设置的第2导电型的半导体区；在该半导体区中设置的第1导电型的集电极层；在该半导体区中设置得与该集电极层隔开的第1导电型的基极层；和在该基极层中设置的第2导电型的第1发射极层，该第1发射极层和该集电极层之间载流子的移动用在该基极层中形成的沟道区域控制，其特征在于，该第1发射极层由无端的主体区和从该主体区向外突出的凸出区组成，相邻的两个凸出区的间隔(W1)大于该凸出区的宽度(W2)(W1＞W2)，在该凸出区中与发射极电极连接。