一种有机电致发光显示器件的制备方法

摘要

本发明属于平板显示技术领域，涉及有机电致发光显示器件的制备方法，步骤如下：1)在导电基板上印刷ITO阳极图形，将印有阳极的基板进行超声清洗，在真空室中进行臭氧离子轰击处理；2)在基板上制备NPB空穴传输层；3)空穴传输层上制备发光层；4)在发光层上制备Alq₃电子传输层；5)电子传输层上制备CuPc/LiF/Al功能插层；6)在功能插层上制备第二空穴传输层；7)在第二空穴传输层上制备第二发光层；8)在第二发光层上制备第二Alq₃电子传输层；9)在第二Alq₃电子传输层上制备LiF/Al混合阴极；10)采用封装基板对器件进行整体封装，完成器件制备。本发明的有机电致发光显示器件OLED，制备工艺简单，可实现高亮度窄带发射。

主权项

1.一种有机电致发光显示器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)在清洗干净的导电基板上印刷有机电致发光显示器件OLED的氧化铟锡ITO阳极图形，将印刷好氧化铟锡ITO阳极图形的基板分别用甲苯、乙醇和丙酮进行超声清洗，再用去离子水浸洗干净，在真空室中进行臭氧离子轰击处理，将真空室压强控制在5-50Pa之间，对基底进行轰击5min-20min；2)用真空蒸镀的方法在印刷好氧化铟锡ITO阳极图形的基板上蒸镀空穴传输层材料N，N’-双(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1’-二苯基-4，4’-二胺，简称NPB，制备NPB第一空穴传输层，系统真空度在5×10-5Pa，NPB沉积速率为0.1-1.5n m/s，厚度为40-80nm；3)在NPB第一空穴传输层上，采用现有技术真空蒸镀的方法蒸镀红绿蓝有机发光材料，制备第一发光层，系统真空度维持在5×10-5Pa，有机发光材料的沉积速率为0.1-2.0n m/s，厚度为20-50nm；4)在第一发光层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀电子传输材料8-羟基喹啉铝Alq3，制备Alq3第一电子传输层，系统真空度维持在5×10-5Pa，电子传输材料的沉积速率为0.1-2.0n m/s，厚度为10-40nm；5)在Alq3第一电子传输层上，采用真空蒸镀的方法依次蒸镀功能插层材料CuPc、LiF和Al，制备CuPc/LiF/Al功能插层，系统真空度维持在5×10-5Pa，CuPc/LiF/Al功能插层材料的沉积速率为0.1-10.0n m/s，CuPc、LiF和Al的厚度分别5-20nm、0.1-5nm和1.0-10nm；6)在CuPc/LiF/Al功能插层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀空穴传输层材料N，N’-双(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1’-二苯基-4，4’-二胺，简称NPB，制备第二空穴传输层，系统真空度在5×10-5Pa，NPB沉积速率为0.1-1.5n m/s，厚度为40-80nm；7)在第二空穴传输层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀有机发光材料，制备第二发光层，系统真空度维持在5×10-5Pa，有机发光材料的沉积速率为0.1-2.0n m/s，厚度为20-50nm；8)在第二发光层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀电子传输材料8-羟基喹啉铝Alq3，制备第二Alq3电子传输层，系统真空度维持在5×10-5Pa，电子传输材料的沉积速率为0.1-2.0n m/s，厚度为10-40nm；9)在第二Alq3电子传输层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀阴极材料LiF和Al，制备LiF/Al混合阴极，系统真空度维持在5×10-5Pa，阴极材料的沉积速率为0.1-10.0n m/s，LiF和Al的厚度分别0.1-5nm和50-300nm；10)采用封装基板对器件进行整体封装，完成器件制备。