发明名称 | 半导体发光元件 | ||
摘要 | 一种半导体发光元件包括支撑结构体和发光结构体。所述支撑结构体包括支撑基板和设置在所述支撑基板的一个表面上的支撑基板侧接合层。所述发光结构体包括与所述支撑基板侧接合层接合的发光结构侧接合层;在所述发光结构侧接合层的所述支撑基板侧的相反侧上设置的反射区域;以及半导体多层结构,其包括设置在所述反射区域的所述发光结构侧接合层侧的相反侧上用于发射具有预定波长的光的发光层和设置在所述发光层的所述反射区域侧的相反侧用于漫反射光的光提取表面。所述反射区域包括由具有比所述半导体多层结构低的折射率的材料构成的透明层和由金属材料构成的反射层。所述透明层具有使得可以抑制由入射到所述透明层的光的多次反射所引起的干涉的厚度。 | ||
申请公布号 | CN101515614A | 申请公布日期 | 2009.08.26 |
申请号 | CN200910004338.3 | 申请日期 | 2009.02.06 |
申请人 | 日立电线株式会社 | 发明人 | 北野延明;新井优洋;饭塚和幸 |
分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人 | 钟 晶 |
主权项 | 1.一种半导体发光元件,包括:支撑结构体;和发光结构体,其中,所述支撑结构体包括:支撑基板;和设置在所述支撑基板的一个表面上的支撑基板侧接合层,以及所述发光结构体包括:与所述支撑基板侧接合层接合的发光结构侧接合层;在所述发光结构侧接合层的所述支撑基板侧的相反侧上设置的反射区域;和半导体多层结构,其包括设置在所述反射区域的所述发光结构侧接合层侧的相反侧上用于发射具有预定波长的光的发光层和设置在所述发光层的所述反射区域侧的相反侧上用于漫反射光的光提取表面,其中,所述反射区域包括由具有比所述半导体多层结构低的折射率的材料构成的透明层和由金属材料构成的反射层,以及所述透明层具有使得可以抑制由入射到所述透明层的光的多次反射所引起的干涉的厚度。 | ||
地址 | 日本东京都 |