发明名称 电光装置及电子设备
摘要 本发明提供具备能避免静电地良好地保护有源元件的结构,理想情况下还能实现制造工序的效率化及成品率提高的电光装置。本发明的电光装置,具备使多个像素(19)排列成矩阵状的显示区域(110),和对应于前述各像素(19)所设置的开关元件,其特征在于,在TFT阵列基板(10)上具备:包围前述显示区域(110)的至少3边的第1屏蔽布线部(91),和包围该第1屏蔽布线部(91)的第2屏蔽布线部(92)。
申请公布号 CN100533238C 申请公布日期 2009.08.26
申请号 CN200610108329.5 申请日期 2006.08.01
申请人 爱普生映像元器件有限公司 发明人 平林幸哉;佐藤尚
分类号 G02F1/136(2006.01)I;G02F1/133(2006.01)I 主分类号 G02F1/136(2006.01)I
代理机构 北京市中咨律师事务所 代理人 陈海红;段承恩
主权项 1. 一种电光装置,其具备元件基板,该元件基板形成有:多个像素电极,和对应于前述多个像素电极的各自所设置的开关元件,该电光装置的特征在于,在设置有前述多个像素电极排列成矩阵状的显示区域的元件基板上形成有互相进行交叉地延伸的多条数据线和多条扫描线,对应于前述数据线和前述扫描线的交叉部设置有像素;前述电光装置具备:第1屏蔽布线部,其包围前述显示区域的至少3边;和第2屏蔽布线部,其包围该第1屏蔽布线部,前述第1屏蔽布线部或第2屏蔽布线部,和前述扫描线或前述数据线,通过多于或等于1个静电保护电路而电连接,前述静电保护电路具有MOS二极管,该MOS二极管具备与前述开关元件在相同层所形成的半导体层,且在与该MOS二极管的源电极和该MOS二极管的栅电极平面性重叠的部分不同的部分,通过接触孔及中继电极将该MOS二极管的源电极和该MOS二极管的栅电极电连接,前述源电极和前述栅电极通过绝缘膜,部分平面性重叠地电容耦合,前述MOS二极管,为电容耦合工作型的MOS二极管,其与前述第2屏蔽布线部电连接,前述第2屏蔽布线部与前述数据线形成于相同层。
地址 日本长野县