半导体晶体的生产方法

摘要

本发明提供一种用于生产Ⅲ族氮化物化合物半导体晶体的方法，该半导体晶体通过利用助熔剂的助熔剂法而生长。在其上将生长半导体晶体的至少部分衬底由助熔剂可溶材料制成。当半导体晶体在衬底表面上生长时，助熔剂可溶材料从与生长半导体晶体的表面相对的衬底表面上溶于助熔剂中。作为替代方案，在半导体晶体已经在衬底表面上生长之后，助熔剂可溶材料从与已经生长半导体晶体的表面相对的衬底表面上溶于助熔剂中。助熔剂可溶材料由硅形成。作为替代方案，助熔剂可溶材料或衬底由Ⅲ族氮化物化合物半导体形成，所述Ⅲ族氮化物化合物半导体具有比所生长的半导体晶体更高的位错密度。

主权项

1. 一种通过采用助熔剂的助熔剂法生产III族氮化物化合物半导体晶体的方法，所述方法包括：在至少部分由可溶于所述助熔剂的助熔剂可溶材料形成的衬底的表面上生长半导体晶体，其中，在所述生长所述半导体晶体的过程中，使所述助熔剂可溶材料从所述衬底的表面溶于所述助熔剂中，所述表面与其上生长有所述半导体晶体的表面相反，和其中，在所述助熔剂可溶材料的暴露表面上形成保护膜，使得所述保护膜的厚度或成形图案控制所述助熔剂可溶材料溶于所述助熔剂的时间或者所述助熔剂可溶材料的溶解速率。