发明名称 | 使用双极晶体管基极撷取的对称阻隔的瞬态电压抑制器 | ||
摘要 | 一种用来抑制一瞬变电压的对称阻隔瞬态电压抑制器(TVS)电路,其包含有一具有电连接至两个晶体管的共用源极的基极的NPN晶体管,借此,不论正向或负向电压瞬变时,基极都将被连接至一低电位端。两个晶体管是两个本质相同的晶体管,以实现一本质对称双向压制瞬变电压。这两个晶体管还包含有具有内部电连接源极的第一与第二MOSFET晶体管。第一MOSFET晶体管还包含有一连接至高电位端的漏极与一连接至低电位端的栅极,而第二MOSFET晶体管还包含有一连接至低电位端的漏极与一连接至高电位端的栅极。 | ||
申请公布号 | CN101517727A | 申请公布日期 | 2009.08.26 |
申请号 | CN200780033963.X | 申请日期 | 2007.09.30 |
申请人 | 万国半导体股份有限公司 | 发明人 | 马督儿·博德 |
分类号 | H01L21/74(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/74(2006.01)I |
代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人 | 张静洁;王敏杰 |
主权项 | 1.一种对称阻隔瞬态电压抑制器(TVS)电路,其包含有:一具有电连接至两个晶体管的共用源极的基极的双极晶体管,以此,在正向或负向电压瞬变时,所述的基极连接到所述双极晶体管的发射极电位。 | ||
地址 | 百慕大哈密尔顿 |