发明名称 |
Bi<sub>2</sub>S<sub>3</sub>量子点敏化TiO<sub>2</sub>薄膜电极的制备方法 |
摘要 |
Bi<sub>2</sub>S<sub>3</sub>量子点敏化TiO<sub>2</sub>薄膜电极的制备方法,它涉及一种量子点敏化TiO<sub>2</sub>薄膜电极的制备方法。本发明解决了现有技术在制备Bi<sub>2</sub>S<sub>3</sub>量子点敏化TiO<sub>2</sub>薄膜电极的过程中使用H<sub>2</sub>S气体,对人体有毒害且容易爆炸的问题。方法如下:制备多孔TiO<sub>2</sub>薄膜电极;浸入琉基乙酸的乙醇溶液;在Bi(NO<sub>3</sub>)<sub>3</sub>溶液和Na<sub>2</sub>S溶液中交替浸泡,即得Bi<sub>2</sub>S<sub>3</sub>量子点敏化TiO<sub>2</sub>薄膜电极。本发明方法制得的Bi<sub>2</sub>S<sub>3</sub>量子点敏化TiO<sub>2</sub>薄膜电极表面复合的Bi<sub>2</sub>S<sub>3</sub>量子点多且分布均匀,光电转化率达1.10%~1.22%。本发明方法在制备过程中未使用H<sub>2</sub>S气体,对人体无毒害且不易爆炸从而保证了环境友好,本发明方法操作简单。 |
申请公布号 |
CN101515506A |
申请公布日期 |
2009.08.26 |
申请号 |
CN200910071739.0 |
申请日期 |
2009.04.08 |
申请人 |
哈尔滨工业大学 |
发明人 |
吴晓宏;秦伟;韩璐 |
分类号 |
H01G9/04(2006.01)I;H01G9/20(2006.01)I;H01M14/00(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I |
主分类号 |
H01G9/04(2006.01)I |
代理机构 |
哈尔滨市松花江专利商标事务所 |
代理人 |
单 军 |
主权项 |
1、Bi2S3量子点敏化TiO2薄膜电极的制备方法,其特征在于Bi2S3量子点敏化TiO2薄膜电极的制备方法按以下步骤实现:一、采用溶胶凝胶法制得多孔TiO2薄膜电极;二、将步骤一得到的多孔TiO2薄膜电极浸入1~10g琉基乙酸的乙醇溶液中10~60min;三、再浸入Bi(NO3)3溶液中1~10min,取出后用蒸馏水冲洗,然后再浸入Na2S溶液中1~10min,取出后再用蒸馏水冲洗;四、重复步骤三5次,即得Bi2S3量子点敏化TiO2薄膜电极;其中步骤二中琉基乙酸的乙醇溶液中琉基乙酸与乙醇的体积比为1∶10~70;步骤二中的Bi(NO3)3溶液由1~20g Bi(NO3)3·5H2O与10~100ml硝酸溶液配制而成,硝酸溶液中硝酸与水的体积比为1∶2~50;步骤二中Na2S溶液为1.5~15g Na2S·9H2O与10~100ml蒸馏水配制而成。 |
地址 |
150001黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 |