| 发明名称 | 半导体元件结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体元件结构及其制作方法。该半导体元件结构包含第一金属氧化物半导体，其具有用于第一栅极的第一高介电材料与第一金属、第二金属氧化物半导体，其具有用于第二栅极的第二高介电材料与第二金属以及桥接沟道，其位于连通第一栅极与第二栅极的凹槽中以电连接第二栅极与第一栅极，且桥接沟道嵌入第一金属与第二金属的至少一者。 | ||
| 申请公布号 | CN101515581A | 申请公布日期 | 2009.08.26 |
| 申请号 | CN200810081467.8 | 申请日期 | 2008.02.22 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 蒋天福;程立伟;许哲华;尤志豪;周正贤;赖建铭;陈奕文;林建廷;马光华 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 1.一种半导体元件结构，包含：第一金属氧化物半导体，包含用于第一栅极的第一高介电材料与第一金属；第二金属氧化物半导体，包含用于第二栅极的第二高介电材料与第二金属；以及桥接沟道，位于连通该第一栅极与该第二栅极的连通的凹槽中以电连接该第二栅极与该第一栅极，且该桥接沟道嵌入该第一金属与该第二金属的至少一者。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||