| 发明名称 | 半导体存储器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体存储器件(1)具有：字驱动器(20)，用于将驱动电压(VXPG_ij)施加到与存储单元相连的字线(SX)；以及内部电源电路(30)，用于将所述驱动电压(VXPG_ij)提供给所述字驱动器(20)，并且将衬底电压(VXPG_i)施加到字驱动器(20)中包括的晶体管(41，42，51)的背栅(41b，42b，51b)。内部电源电路(30)彼此独立地控制驱动电压(VXPG_ij)和衬底电压(VXPG_i)。 | ||
| 申请公布号 | CN100533592C | 申请公布日期 | 2009.08.26 |
| 申请号 | CN200510126719.0 | 申请日期 | 2005.11.17 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 菅原宽;渡边一央 |
| 分类号 | G11C11/407(2006.01)I;G11C11/417(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I;G11C8/00(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/407(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;陆锦华 |
| 主权项 | 1. 一种半导体存储器件，包括：字驱动器，用于将驱动电压施加到与存储单元相连的字线；以及内部电源电路，用于将所述驱动电压提供给所述字驱动器并且将衬底电压施加到所述字驱动器中包括的晶体管的背栅，其中所述内部电源电路彼此独立地控制所述驱动电压和所述衬底电压，其中在读操作中，所述内部电源电路持续地提供所述衬底电压并且接通/断开控制所述驱动电压的供给。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||