发明名称 电光装置、其制造方法以及电子设备
摘要 本发明的电光装置,通过在形成保持电容(70)之后进行TFT(30)的氢化处理,抑制TFT(30)的元件特性的降低。保持电容(70),为了不阻碍在TFT(30)中实施的氢化处理而形成得避开TFT(30)。更具体地,上部电容电极(300)具有:将为了在设置于各像素部的多个保持电容(70)间共用那样地沿着扫描线(3a)延伸的上部电容电极(300),在TFT(30)之上开缺口的缺口部(301)。此外,下部电容电极(71)也在像素部相互分离使得不重叠到TFT(30)具备的半导体层之上。
申请公布号 CN100533237C 申请公布日期 2009.08.26
申请号 CN200610091891.1 申请日期 2006.06.14
申请人 精工爱普生株式会社 发明人 仓科久树
分类号 G02F1/136(2006.01)I;G02F1/133(2006.01)I;G02F1/1333(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I 主分类号 G02F1/136(2006.01)I
代理机构 北京市中咨律师事务所 代理人 陈海红;段承恩
主权项 1. 一种电光装置,其特征在于,在基板之上,具备:互相交叉的多条数据线及多条扫描线,对应于前述多条数据线及前述多条扫描线的交叉处而设置的多个像素电极,分别电连接于前述多个像素电极的多个晶体管,和多个保持电容,其设置在前述晶体管的上层侧,由:在前述晶体管的上层侧分别延伸地形成的第1电极、形成于该第1电极之上的电介质膜及形成于该电介质膜之上的第2电极构成,前述第1电极、前述第2电极及前述电介质膜之中的至少前述第1电极及前述第2电极,设置得从俯视方向看避开前述晶体管,该保持电容对通过前述数据线及前述晶体管供给前述像素电极的图像信号进行暂时性地保持;前述多个保持电容之中的相邻的保持电容的分离区域存在于前述晶体管之上。
地址 日本东京都
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